Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB4110GPBF
- N° de stock RS:
- 865-5807
- Référence fabricant:
- IRFB4110GPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sous-total (1 tube de 2 unités)*
8,74 €
(TVA exclue)
10,58 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
- 14 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- 146 unité(s) finale(s) expédiée(s) à partir du 11 juin 2026
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 4,37 € | 8,74 € |
| 10 - 18 | 4,15 € | 8,30 € |
| 20 - 48 | 3,985 € | 7,97 € |
| 50 - 98 | 3,805 € | 7,61 € |
| 100 + | 3,06 € | 6,12 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 865-5807
- Référence fabricant:
- IRFB4110GPBF
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 370W | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 150nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 10.67mm | |
| Height | 16.51mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 370W | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 10.67mm | ||
Height 16.51mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
MOSFET Transistors, Infineon
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon Single HEXFET 1 Type N-Channel MOSFET Enhancement, 3-Pin TO-220AB AUIRL3705Z
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRLB8748PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ46NPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFB3006PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB AUIRF3205Z
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRFZ24NPBF
