Infineon OptiMOS P P-Channel MOSFET, 80 A, 40 V, 3-Pin D2PAK IPB80P04P4L04ATMA1

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N° de stock RS:
857-4559
Référence fabricant:
IPB80P04P4L04ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

P

Maximum Continuous Drain Current

80 A

Maximum Drain Source Voltage

40 V

Series

OptiMOS P

Package Type

D2PAK (TO-263)

Mounting Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance

7.1 mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Threshold Voltage

2.2V

Minimum Gate Threshold Voltage

1.2V

Maximum Power Dissipation

125 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Gate Source Voltage

-16 V, +16 V

Width

9.25mm

Transistor Material

Si

Number of Elements per Chip

1

Length

10mm

Maximum Operating Temperature

+175 °C

Typical Gate Charge @ Vgs

135 nC @ 10 V

Minimum Operating Temperature

-55 °C

Height

4.4mm

Statut RoHS non applicable

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