N-Channel MOSFET, 9.7 A, 100 V, 3-Pin D2PAK Infineon IRF520NSTRLPBF
- N° de stock RS:
- 831-2821
- Référence fabricant:
- IRF520NSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Prix Each (In a Pack of 5)
1,612 €
(TVA exclue)
1,951 €
(TVA incluse)
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 5 - 95 | 1,612 € | 8,06 € |
| 100 - 195 | 1,05 € | 5,25 € |
| 200 - 395 | 1,004 € | 5,02 € |
| 400 - 795 | 0,948 € | 4,74 € |
| 800 + | 0,736 € | 3,68 € |
| *prix conseillé | ||
Options de conditionnement :
- N° de stock RS:
- 831-2821
- Référence fabricant:
- IRF520NSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
- Pays d'origine :
- CN
Législations et de normes
- Pays d'origine :
- CN
Détails du produit
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
Spécifications
| Attribut | Valeur |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 9.7 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Package Type | D2PAK (TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 3 |
| Maximum Drain Source Resistance | 200 mΩ |
| Channel Mode | Enhancement |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Length | 10.67mm |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 25 nC @ 10 V |
| Width | 9.65mm |
| Transistor Material | Si |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Series | HEXFET |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Height | 4.83mm |