Toshiba TK Type N-Channel MOSFET, 20 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P TK20J60W,S1VQ(O
- N° de stock RS:
- 827-6163
- Référence fabricant:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Fabricant:
- Toshiba
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
17,39 €
(TVA exclue)
21,042 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- 256 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 8,695 € | 17,39 € |
| 20 - 38 | 6,59 € | 13,18 € |
| 40 - 72 | 6,21 € | 12,42 € |
| 74 - 148 | 6,055 € | 12,11 € |
| 150 + | 5,89 € | 11,78 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 827-6163
- Référence fabricant:
- TK20J60W,S1VQ(O
- Fabricant:
- Toshiba
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Toshiba | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-3P | |
| Series | TK | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 155mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 165W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | -1.7V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 48nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 20mm | |
| Length | 15.5mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Toshiba | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-3P | ||
Series TK | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 155mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 165W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf -1.7V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 48nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 20mm | ||
Length 15.5mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- JP
MOSFET N-Channel, TK2x Series, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
Liens connexes
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3P
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV Type N-Channel MOSFET 600 V EnhancementS1VQ(O
- Toshiba DTMOSIV N-Channel MOSFET 600 VS1VQ(S
- Toshiba TK Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220