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Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 CSD19506KCS

N° de stock RS:: 827-4903
Référence fabricant:: CSD19506KCS
Fabricant:: Texas Instruments

Texas Instruments NexFET N-Channel MOSFET, 273 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-220 CSD19506KCS

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 827-4903
Référence fabricant:: CSD19506KCS
Fabricant:: Texas Instruments

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Texas Instruments
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TO-220
	Series	NexFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	375W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	120nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.67mm
	Height	16.51mm
	Standards/Approvals	No
	Width	4.7mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Texas Instruments
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 273A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TO-220
	Series NexFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 375W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 120nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.67mm
	Height 16.51mm
	Standards/Approvals No
	Width 4.7mm
	Automotive Standard No

ESD Control Selection Guide V1

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments

MOSFET Transistors, Texas Instruments

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