Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET, 5 A, 25 V Enhancement, 6-Pin SON
- N° de stock RS:
- 162-8525
- Référence fabricant:
- CSD16301Q2
- Fabricant:
- Texas Instruments
Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*
609,00 €
(TVA exclue)
738,00 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 36 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 3000 + | 0,203 € | 609,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 162-8525
- Référence fabricant:
- CSD16301Q2
- Fabricant:
- Texas Instruments
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Texas Instruments | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 25V | |
| Package Type | SON | |
| Series | NexFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 34mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 2nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.3W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 10 V | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.8mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 2 mm | |
| Length | 2mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Texas Instruments | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 25V | ||
Package Type SON | ||
Series NexFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 34mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 2nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.3W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 10 V | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.8mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 2 mm | ||
Length 2mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments
MOSFET Transistors, Texas Instruments
Liens connexes
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 6-Pin SON CSD16301Q2
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 25 V Enhancement, 8-Pin SON CSD16321Q5
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SON
- Texas Instruments NexFET Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SON CSD18531Q5A
