Texas Instruments Single NexFET 1 N-Channel MOSFET, 259 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 CSD19536KCS

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N° de stock RS:
121-9764
Référence fabricant:
CSD19536KCS
Fabricant:
Texas Instruments
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Marque

Texas Instruments

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

259A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-220

Series

NexFET

Mount Type

Through Hole, Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

3.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

118nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Forward Voltage Vf

-5V

Transistor Configuration

Single

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

16.51mm

Length

10.67mm

Standards/Approvals

No

Width

4.7mm

Number of Elements per Chip

1

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY

N-Channel NexFET™ Power MOSFET, Texas Instruments


MOSFET Transistors, Texas Instruments


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