Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 23 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRF9540NSTRLPBF

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827-3931
Référence fabricant:
IRF9540NSTRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

117mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

110W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

-1.6V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

73nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

10.67mm

Height

4.83mm

Width

9.65 mm

Standards/Approvals

No

Distrelec Product Id

304-44-456

Automotive Standard

No

P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon


Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range Benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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