Références fabricant

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 218-2971
Référence fabricant:: AUIRF5210STRL
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, 38 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-263

Sous-total (1 bobine de 800 unités)*

2 564,80 €

(TVA exclue)

3 103,20 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
800 +	3,206 €	2 564,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 218-2971
Référence fabricant:: AUIRF5210STRL
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	HEXFET
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	60mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	150nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	-1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	9.65mm
	Height	4.83mm
	Length	10.67mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id 38A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series HEXFET
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 60mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 3.1W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 150nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf -1.6V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 9.65mm
	Height 4.83mm
	Length 10.67mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - AUIRF5210STRL

The Infineon P-channel automotive MOSFET. It is specifically designed for automotive applications. This cellular design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area.

Advanced Process Technology

P-Channel MOSFET

Ultra Low On-Resistance

Dynamic dv/dt Rating

Fast Switching

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