Infineon OptiMOS Type N-Channel MOSFET, 1.5 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70

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N° de stock RS:
827-0030
Numéro d'article Distrelec:
304-44-426
Référence fabricant:
BSS214NWH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

1.5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

OptiMOS

Package Type

SC-70

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

250mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12V

Forward Voltage Vf

0.8V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.8nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.25mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Length

2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS Series MOSFET, 20V Maximum Drain Source Voltage, 1.5A Maximum Continuous Drain Current - BSS214NWH6327XTSA1


This MOSFET is a compact N-channel enhancement device designed for surface-mount power switching and management in constrained electronic assemblies. It operates across a wide ambient span suited to demanding temperature conditions and is engineered for low-voltage, low-current applications where efficient conduction and rapid gate response are required.

Features and Benefits:


• 20V drain-source rating enables low-voltage power designs
• 250mΩ Rds(on) reduces conduction losses in switching paths
• 0.8nC typical gate charge supports fast gate transitions
• 1.5A continuous drain current handles modest load currents
• 500mW maximum dissipation allows safe thermal headroom
• 12V gate threshold maximises gate-drive flexibility

Applications


• Suitable for automotive sensor power switching
• Ideal for battery management and load disconnects
• Used with control logic in distributed power modules
• Can be used for small DC-DC converter stages
• Suitable for portable device power-path switching

What thermal range can it tolerate in extreme environments?


It is specified to function from -55°C up to 150°C, permitting use in high-temperature automotive zones.

How compact is it for high-density board layouts?


The component is supplied in a tiny SC-70 surface-mount package measuring 2mm by 1.25mm with a low profile of 0.8 mm.

What gate-drive limits should designers observe?


The gate-source voltage must not exceed 12V to avoid overstressing the gate dielectric.

How does the device behave under continuous load?


It supports a steady drain current of 1.5A while dissipating up to 500mW within its thermal constraints.

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