Infineon OptiMOS 2 Type N-Channel MOSFET, 1.4 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SC-70 BSS816NWH6327XTSA1

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110-7113
Référence fabricant:
BSS816NWH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

1.4A

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Package Type

SC-70

Series

OptiMOS 2

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

240mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

8 V

Maximum Power Dissipation Pd

500mW

Minimum Operating Temperature

-40°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.6nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

1.25 mm

Height

0.8mm

Standards/Approvals

No

Length

2mm

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon OptiMOS™2 Power MOSFET Family


Infineon’s OptiMOS™2 N-Channel family offers the industry's lowest on-state resistance inside their voltage group. The Power MOSFET series can be used in many applications including high frequency Telecom, Datacom, solar, low voltage drives and Server Power Supplies. The OptiMOS 2 product family ranges from 20V and over and offers a selection of different package types.

MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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