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Infineon OptiMOS -T2 N-Channel Power Transistor, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S4L05ATMA2

N° de stock RS:: 826-8998
Référence fabricant:: IPB80N06S4L05ATMA2
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS -T2 N-Channel Power Transistor, 80 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB80N06S4L05ATMA2

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N° de stock RS:: 826-8998
Référence fabricant:: IPB80N06S4L05ATMA2
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	Power Transistor
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-263
	Series	OptiMOS -T2
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.8mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	107W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	83nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	-16V, +16V
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10mm
	Width	9.25mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Height	4.4mm
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type Power Transistor
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 80A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-263
	Series OptiMOS -T2
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.8mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 107W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 83nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs -16V, +16V
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10mm
	Width 9.25mm
	Standards/Approvals RoHS
	Height 4.4mm
	Automotive Standard AEC-Q101

Statut RoHS non applicable

Infineon OptiMOS™ T2 Power MOSFETs

Infineon’s new OptiMOS ™ -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS™ -T2 product family extends the existing families of OptiMOS™ -T and OptiMOS™.

OptiMOS™ products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements of the sharpened next generation voltage regulation standards in computing applications.

N-channel - Enhancement mode

AEC qualified

MSL1 up to 260°C Peak reflow

175°C operating temperature

Green Product (RoHS compliant)

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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