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Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1

N° de stock RS:: 214-4366
Référence fabricant:: IPB120N08S403ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon OptiMOS -T2 Type N-Channel MOSFET, 120 A, 80 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IPB120N08S403ATMA1

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

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N° de stock RS:: 214-4366
Référence fabricant:: IPB120N08S403ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Series	OptiMOS -T2
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.5mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	128nC
	Maximum Power Dissipation Pd	278W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	10.02mm
	Height	4.5mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 120A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Series OptiMOS -T2
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.5mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 128nC
	Maximum Power Dissipation Pd 278W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 10.02mm
	Height 4.5mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IPB120N08S403ATMA1

This Infineon OptiMOS T2 MOSFET is 100% Avalanche tested and is RoHS compliant.

It is AEC Q101 qualified

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