Infineon OptiMOS 3 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ110N06NS3GATMA1
- N° de stock RS:
- 823-5724
- Référence fabricant:
- BSZ110N06NS3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,814 € | 8,14 € |
| 100 - 240 | 0,774 € | 7,74 € |
| 250 + | 0,755 € | 7,55 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 823-5724
- Référence fabricant:
- BSZ110N06NS3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | OptiMOS 3 | |
| Package Type | TSDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 11mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.4mm | |
| Height | 1mm | |
| Width | 3.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series OptiMOS 3 | ||
Package Type TSDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 11mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.4mm | ||
Height 1mm | ||
Width 3.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- MY
Infineon OptiMOS™3 Power MOSFETs, 60 to 80V
MOSFET Transistors, Infineon
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