Infineon OptiMOS-TM3 N-Channel MOSFET, 63 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TSDSON BSZ068N06NSATMA1
- N° de stock RS:
- 222-4629
- Référence fabricant:
- BSZ068N06NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,963 € | 14,45 € |
| 75 - 135 | 0,915 € | 13,73 € |
| 150 - 360 | 0,876 € | 13,14 € |
| 375 - 735 | 0,837 € | 12,56 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4629
- Référence fabricant:
- BSZ068N06NSATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 63A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TSDSON | |
| Series | OptiMOS-TM3 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 6.8mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 17nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 46W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 5.35mm | |
| Height | 1.2mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 6.1mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 63A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TSDSON | ||
Series OptiMOS-TM3 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 6.8mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 17nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 46W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 5.35mm | ||
Height 1.2mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 6.1mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon design of MOSFETs, also known as MOSFET transistors, stands for ’Metal Oxide Semiconductor Field-Effect Transistors’. MOSFETs are transistor devices which are controlled by a capacitor. The "Field-Effect" means that they are controlled by voltage. The aim of a MOSFET is to control the flow of the current passing through from the source to the drain terminals.
Pb-free lead plating; RoHS compliant
Superior thermal resistance 100% avalanche tested
Halogen-free according to IEC61249-2-23
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