DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 580 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-26 DMN601DMK-7
- N° de stock RS:
- 823-2943
- Référence fabricant:
- DMN601DMK-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Sous-total (1 paquet de 20 unités)*
5,08 €
(TVA exclue)
6,14 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 4 860 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 20 + | 0,254 € | 5,08 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 823-2943
- Référence fabricant:
- DMN601DMK-7
- Fabricant:
- DiodesZetex
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | DiodesZetex | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 580mA | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-26 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 6 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 980mW | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 304nC | |
| Minimum Operating Temperature | 150°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.8V | |
| Transistor Configuration | Isolated | |
| Maximum Operating Temperature | -55°C | |
| Length | 3.1mm | |
| Width | 1.7 mm | |
| Height | 1.3mm | |
| Standards/Approvals | J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | |
| Number of Elements per Chip | 2 | |
| Automotive Standard | AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque DiodesZetex | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 580mA | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-26 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 6 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 980mW | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 304nC | ||
Minimum Operating Temperature 150°C | ||
Forward Voltage Vf 0.8V | ||
Transistor Configuration Isolated | ||
Maximum Operating Temperature -55°C | ||
Length 3.1mm | ||
Width 1.7 mm | ||
Height 1.3mm | ||
Standards/Approvals J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0 | ||
Number of Elements per Chip 2 | ||
Automotive Standard AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100 | ||
Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.
MOSFET Transistors, Diodes Inc.
Liens connexes
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-26 DMN601DMK-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin SOT-26 DMN2004DMK-7
- Diodes Inc P-Channel MOSFET 30 V SOT-23 DMP31D7LQ-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-563 2N7002VC-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN65D8LDW-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN61D9UDWQ-7
- Diodes Inc Dual N-Channel MOSFET 60 V, 6-Pin SOT-363 DMN66D0LDW-7
- Diodes Inc Dual P-Channel MOSFET 20 V, 6-Pin SOT-26 DMP2240UDM-7
