Références fabricant

DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563

N° de stock RS:: 122-2874
Référence fabricant:: DMG1029SV-7
Fabricant:: DiodesZetex

DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

300,00 €

(TVA exclue)

360,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

En stock

27 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,10 €	300,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 122-2874
Référence fabricant:: DMG1029SV-7
Fabricant:: DiodesZetex

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	DiodesZetex
	Channel Type	Type P, Type N
	Product Type	Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	620mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-563
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	6Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd	1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Standards/Approvals	J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0
	Length	1.7mm
	Height	0.6mm
	Width	1.25 mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque DiodesZetex
	Channel Type Type P, Type N
	Product Type Power MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 620mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-563
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 6Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.4V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.3nC
	Maximum Power Dissipation Pd 1W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Standards/Approvals J-STD-020, MIL-STD-202, AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0
	Length 1.7mm
	Height 0.6mm
	Width 1.25 mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Pays d'origine :: CN

DiodesZetex Isolated 2 Type P, Type N-Channel Power MOSFET, 620 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-563

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €

Dual N/P-Channel MOSFET, Diodes Inc.

MOSFET Transistors, Diodes Inc.

Liens connexes