DiodesZetex Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 580 mA, 60 V Enhancement, 6-Pin SOT-26

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

495,00 €

(TVA exclue)

600,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 14 décembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,165 €495,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
122-3250
Référence fabricant:
DMN601DMK-7
Fabricant:
DiodesZetex
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

DiodesZetex

Channel Type

Type N

Product Type

Power MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

580mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-26

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

304nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

150°C

Maximum Power Dissipation Pd

980mW

Maximum Operating Temperature

-55°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

J-STD-020, MIL-STD-202, RoHS, AEC-Q101, UL 94V-0

Length

3.1mm

Height

1.3mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100

Pays d'origine :
CN

Dual N-Channel MOSFET, Diodes Inc.


MOSFET Transistors, Diodes Inc.


Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.