Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin LFPAK PSMN1R5-30YLC,115
- N° de stock RS:
- 816-6969
- Référence fabricant:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Fabricant:
- Nexperia
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
5,38 €
(TVA exclue)
6,51 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 15 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
- Plus 945 unité(s) expédiée(s) à partir du 05 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 1,076 € | 5,38 € |
| 10 - 20 | 1,03 € | 5,15 € |
| 25 - 45 | 0,992 € | 4,96 € |
| 50 - 95 | 0,962 € | 4,81 € |
| 100 + | 0,94 € | 4,70 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 816-6969
- Référence fabricant:
- PSMN1R5-30YLC,115
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | LFPAK | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 179W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 65nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Height | 1.05mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type LFPAK | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 179W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 65nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Height 1.05mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 5mm | ||
Width 4.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Liens connexes
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN1R5-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN011-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN9R5-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PH8230E,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN1R7-30YL,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN7R0-30YL,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN5R0-30YL,115
