Nexperia Type N-Channel MOSFET, 37 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN011-30YLC,115
- N° de stock RS:
- 798-2820
- Référence fabricant:
- PSMN011-30YLC,115
- Fabricant:
- Nexperia
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
4,88 €
(TVA exclue)
5,90 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 380 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 0,488 € | 4,88 € |
| 100 - 190 | 0,303 € | 3,03 € |
| 200 - 390 | 0,289 € | 2,89 € |
| 400 - 790 | 0,276 € | 2,76 € |
| 800 + | 0,263 € | 2,63 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 798-2820
- Référence fabricant:
- PSMN011-30YLC,115
- Fabricant:
- Nexperia
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 37A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | SOT-669 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 14.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 29W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10.3nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 1.1mm | |
| Length | 5mm | |
| Width | 4.1 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Nexperia | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 37A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type SOT-669 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 14.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 29W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10.3nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 1.1mm | ||
Length 5mm | ||
Width 4.1 mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- PH
N-Channel MOSFET, up to 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
Liens connexes
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN011-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN1R5-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN9R5-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PH8230E,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN5R5-60YS,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 30 V SOT-669 PSMN1R7-30YL,115
- Nexperia N-Channel MOSFET 60 V SOT-669 PSMN017-60YS,115
