Nexperia Type N-Channel MOSFET, 100 A, 30 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN1R2-30YLC,115

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798-2906
Référence fabricant:
PSMN1R2-30YLC,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

100A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.65mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

215W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

78nC

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Width

4.1 mm

Length

5mm

Height

1.1mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-Channel MOSFET, up to 30V


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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