Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3

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N° de stock RS:
812-3126
Référence fabricant:
Si2338DS-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

SOT-23

Series

Si2338DS

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.033Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

4.2nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

2.5W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC

Width

1.4 mm

Height

1.02mm

Length

3.04mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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