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Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3

N° de stock RS:: 812-3126
Référence fabricant:: Si2338DS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay Si2338DS Type N-Channel MOSFET, 6 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 Si2338DS-T1-GE3

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N° de stock RS:: 812-3126
Référence fabricant:: Si2338DS-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	Si2338DS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.033Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	4.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2.5W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	1.02mm
	Length	3.04mm
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series Si2338DS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.033Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 4.2nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2.5W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 1.02mm
	Length 3.04mm
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS 2002/95/EC
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 30V to 50V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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