N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH20N50P3

N° de stock RS:: 802-4363
Référence fabricant:: IXFH20N50P3
Fabricant:: IXYS

N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH20N50P3

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N° de stock RS:: 802-4363
Référence fabricant:: IXFH20N50P3
Fabricant:: IXYS

IXFA20N50P3, IXFP20N50P3, IXFQ20N50P3, IXFH20N50P3, Polar3 HiPerFET, Power MOSFETs, N-Channel Enhancement Mode, Avalanche Rated, Fast Intrinsic Rectifier
ESD Control Selection Guide V1

Attribut	Valeur
Channel Type	N
Maximum Continuous Drain Current	20 A
Maximum Drain Source Voltage	500 V
Series	HiperFET, Polar3
Package Type	TO-247
Mounting Type	Through Hole
Pin Count	3
Maximum Drain Source Resistance	300 mΩ
Channel Mode	Enhancement
Maximum Gate Threshold Voltage	5V
Maximum Power Dissipation	380 W
Transistor Configuration	Single
Maximum Gate Source Voltage	-30 V, +30 V
Transistor Material	Si
Width	5.3mm
Typical Gate Charge @ Vgs	36 nC @ 10 V
Length	16.26mm
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Number of Elements per Chip	1
Height	21.46mm
Minimum Operating Temperature	-55 °C

N-Channel MOSFET, 20 A, 500 V, 3-Pin TO-247 IXYS IXFH20N50P3

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N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series