IXYS Type N-Channel MOSFET, 60 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 168-4730
- Référence fabricant:
- IXFH60N50P3
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
209,88 €
(TVA exclue)
253,95 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 30 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 6,996 € | 209,88 € |
| 60 - 120 | 6,646 € | 199,38 € |
| 150 + | 6,296 € | 188,88 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 168-4730
- Référence fabricant:
- IXFH60N50P3
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 60A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 100mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 1.04kW | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 96nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Width | 5.3 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 60A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 1.04kW | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 96nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Height 21.46mm | ||
Width 5.3 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of Advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH60N50P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH16N50P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH26N50P