IXYS HiperFET, Polar3 Type N-Channel MOSFET, 26 A, 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 920-0981
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P3
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 tube de 30 unités)*
156,78 €
(TVA exclue)
189,69 €
(TVA incluse)
Ajouter 30 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 300 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le tube* |
|---|---|---|
| 30 - 120 | 5,226 € | 156,78 € |
| 150 - 270 | 4,923 € | 147,69 € |
| 300 + | 4,23 € | 126,90 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 920-0981
- Référence fabricant:
- IXFH26N50P3
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 26A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 500V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HiperFET, Polar3 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 240mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 42nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.4V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 500W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Length | 16.26mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 26A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 500V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HiperFET, Polar3 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 240mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 42nC | ||
Forward Voltage Vf 1.4V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 500W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Height 21.46mm | ||
Length 16.26mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- US
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH26N50P3
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH26N50P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IXFH26N60P
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- IXYS Type N-Channel MOSFET 500 V Enhancement, 3-Pin TO-247