Nexperia Type N-Channel MOSFET, 59 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-669 PSMN012-60YS,115

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798-2823
Référence fabricant:
PSMN012-60YS,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

59A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-669

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

17.8mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

28.4nC

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Height

1.1mm

Length

5mm

Width

4.1 mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
PH

N-Channel MOSFET, 60V to 80V, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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