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onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

N° de stock RS:: 780-0674
Référence fabricant:: NTMD4N03R2G
Fabricant:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N-Channel Power MOSFET, 4 A, 30 V Enhancement, 8-Pin SOIC NTMD4N03R2G

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N° de stock RS:: 780-0674
Référence fabricant:: NTMD4N03R2G
Fabricant:: onsemi

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	Power MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOIC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	80mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	0.82V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	8nC
	Maximum Power Dissipation Pd	2W
	Minimum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Maximum Operating Temperature	-55°C
	Length	5mm
	Standards/Approvals	No
	Height	1.5mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type Power MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOIC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 80mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 0.82V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 8nC
	Maximum Power Dissipation Pd 2W
	Minimum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Maximum Operating Temperature -55°C
	Length 5mm
	Standards/Approvals No
	Height 1.5mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard AEC-Q101

Dual N-Channel MOSFET, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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