Références fabricant

onsemi Isolated 2 Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6332C

N° de stock RS:: 761-9847
Référence fabricant:: FDG6332C
Fabricant:: onsemi

onsemi Isolated 2 Type N, Type N, Type P, Type P-Channel MOSFET, 700 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SOT-363 FDG6332C

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N° de stock RS:: 761-9847
Référence fabricant:: FDG6332C
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Transistor Configuration	Isolated
	Number of Elements per Chip	2
	Channel Type	Type N, Type N, Type P, Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id)	700 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds)	20 V
	Channel Mode	Enhancement
	Pin Count	6
	Package Type	SOT-363
	Automotive Standard	No
	Forward Voltage (Vf)	-0.77 V
	Height	1 mm
	Length	2 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds)	700 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs)	-12 V, +12 V
	Maximum Operating Temperature	150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd)	0.3 W
	Minimum Operating Temperature	-55 °C
	Mount Type	Surface
	Standards/Approvals	No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs	1.4 nC
	Width	1.25 mm

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Transistor Configuration Isolated
	Number of Elements per Chip 2
	Channel Type Type N, Type N, Type P, Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current (Id) 700 mA
	Maximum Drain Source Voltage (Vds) 20 V
	Channel Mode Enhancement
	Pin Count 6
	Package Type SOT-363
	Automotive Standard No
	Forward Voltage (Vf) -0.77 V
	Height 1 mm
	Length 2 mm
	Maximum Drain Source Resistance (Rds) 700 mΩ
	Maximum Gate Source Voltage (Vgs) -12 V, +12 V
	Maximum Operating Temperature 150 °C
	Maximum Power Dissipation (Pd) 0.3 W
	Minimum Operating Temperature -55 °C
	Mount Type Surface
	Standards/Approvals No
	Typical Gate Charge (Qg) @ Vgs 1.4 nC
	Width 1.25 mm

Automotive Dual N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

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MOSFET Transistors, ON Semi

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ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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