STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET, 17 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18NM80
- N° de stock RS:
- 761-0392
- Référence fabricant:
- STB18NM80
- Fabricant:
- STMicroelectronics
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 17A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Series | MDmesh | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 295mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 190W | |
| Minimum Operating Temperature | -65°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 70nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.75mm | |
| Width | 10.4 mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 17A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Series MDmesh | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 295mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 190W | ||
Minimum Operating Temperature -65°C | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 70nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.75mm | ||
Width 10.4 mm | ||
Height 4.6mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™, 800V/1500V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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