STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB7NK80ZT4
- N° de stock RS:
- 760-9516
- Référence fabricant:
- STB7NK80ZT4
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 5 unités)*
14,22 €
(TVA exclue)
17,205 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 50 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
- Plus 285 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | 2,844 € | 14,22 € |
| 10 - 95 | 2,41 € | 12,05 € |
| 100 - 495 | 1,888 € | 9,44 € |
| 500 - 995 | 1,604 € | 8,02 € |
| 1000 + | 1,322 € | 6,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 760-9516
- Référence fabricant:
- STB7NK80ZT4
- Fabricant:
- STMicroelectronics
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | STMicroelectronics | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 800V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 125W | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 10.75mm | |
| Height | 4.6mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 10.4 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque STMicroelectronics | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 800V | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 125W | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 10.75mm | ||
Height 4.6mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 10.4 mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
Liens connexes
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- STMicroelectronics Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220 STP7NK80Z
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP
- STMicroelectronics SuperMESH Type N-Channel Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-220FP STP7NK80ZFP
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- STMicroelectronics MDmesh Type N-Channel MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB18NM80
- STMicroelectronics STB11NM80 Type N-Channel MDmesh Power MOSFET 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263