Références fabricant

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB7NK80ZT4

N° de stock RS:: 760-9516
Référence fabricant:: STB7NK80ZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH Type N-Channel MOSFET, 5.2 A, 800 V Enhancement, 3-Pin TO-263 STB7NK80ZT4

Offre groupée disponible

Consulter les options de prix de gros

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

17,52 €

(TVA exclue)

21,20 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

50 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Plus 240 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 juin 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	le paquet*
5 - 5	3,504 €	17,52 €
10 - 95	2,968 €	14,84 €
100 - 495	2,328 €	11,64 €
500 - 995	1,976 €	9,88 €
1000 +	1,63 €	8,15 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 760-9516
Référence fabricant:: STB7NK80ZT4
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	800V
	Package Type	TO-263
	Series	MDmesh, SuperMESH
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	40nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	125W
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Height	4.6mm
	Length	10.75mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 800V
	Package Type TO-263
	Series MDmesh, SuperMESH
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 125W
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Height 4.6mm
	Length 10.75mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

N-Channel MDmesh™ SuperMESH™, 700V to 1200V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.