onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET, 18 A, 100 V Enhancement, 8-Pin Power 33 FDMC86102L
- N° de stock RS:
- 759-9550
- Référence fabricant:
- FDMC86102L
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,73 €
(TVA exclue)
4,514 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Pénurie d'approvisionnement
- 1 160 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Notre stock actuel est limité et nos fournisseurs s'attendent à des pénuries.
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,865 € | 3,73 € |
| 20 - 198 | 1,61 € | 3,22 € |
| 200 - 998 | 1,39 € | 2,78 € |
| 1000 - 1998 | 1,225 € | 2,45 € |
| 2000 + | 1,115 € | 2,23 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 759-9550
- Référence fabricant:
- FDMC86102L
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 18A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Package Type | Power 33 | |
| Series | PowerTrench | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 39mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 41W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 15nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 0.75mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 18A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Package Type Power 33 | ||
Series PowerTrench | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 39mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 41W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 15nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 0.75mm | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
PowerTrench® N-Channel MOSFET, 20A to 59.9A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
Liens connexes
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 8-Pin Power 33
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS86540
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin SOIC FDS8638
- onsemi Isolated PowerTrench 2 Type N-Channel Dual N-Channel Power Trench MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin Power 33
- onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET 150 V, 8-Pin Power 33 FDMC86260
- onsemi PowerTrench Type P-Channel PowerTrench MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-252
