Infineon SIPMOS Type N-Channel MOSFET, 2.6 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 BSP318SH6327XTSA1

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 10 unités)*

6,66 €

(TVA exclue)

8,06 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Dernier stock RS
  • 30 dernière(s) unité(s), prête(s) à l'envoi
Unité
Prix par unité
le paquet*
10 - 900,666 €6,66 €
100 - 2400,633 €6,33 €
250 - 4900,607 €6,07 €
500 - 9900,58 €5,80 €
1000 +0,54 €5,40 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
753-2816
Référence fabricant:
BSP318SH6327XTSA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

2.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SOT-223

Series

SIPMOS

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

3.5 mm

Height

1.6mm

Length

6.5mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

Infineon SIPMOS® N-Channel MOSFETs


MOSFET Transistors, Infineon


Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

Liens connexes