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onsemi MMBF170L Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 MMBF170

N° de stock RS:: 739-0357
Référence fabricant:: MMBF170
Fabricant:: onsemi

onsemi MMBF170L Type N-Channel MOSFET, 500 mA, 60 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 MMBF170

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N° de stock RS:: 739-0357
Référence fabricant:: MMBF170
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	SOT-23
	Series	MMBF170L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	5Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	300mW
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	2.92mm
	Height	0.93mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 500mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type SOT-23
	Series MMBF170L
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 5Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 300mW
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 2.92mm
	Height 0.93mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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