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onsemi NDS355 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS355AN

N° de stock RS:: 739-0167
Numéro d'article Distrelec:: 304-45-674
Référence fabricant:: NDS355AN
Fabricant:: onsemi

onsemi NDS355 N-Channel MOSFET, 1.7 A, 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS355AN

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N° de stock RS:: 739-0167
Numéro d'article Distrelec:: 304-45-674
Référence fabricant:: NDS355AN
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	30V
	Package Type	SOT-23
	Series	NDS355
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	230mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.92mm
	Height	0.94mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 30V
	Package Type SOT-23
	Series NDS355
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 230mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.92mm
	Height 0.94mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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