onsemi FDN N-Channel MOSFET, 1.7 A, 60 V, 3-Pin SOT-23 FDN5630
- N° de stock RS:
- 838-618
- Référence fabricant:
- FDN5630
- Fabricant:
- onsemi
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 ruban de 25 unités)*
4,50 €
(TVA exclue)
5,50 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 10 mai 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le ruban* |
|---|---|---|
| 25 - 225 | 0,18 € | 4,50 € |
| 250 - 1225 | 0,146 € | 3,65 € |
| 1250 - 2475 | 0,112 € | 2,80 € |
| 2500 + | 0,088 € | 2,20 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 838-618
- Référence fabricant:
- FDN5630
- Fabricant:
- onsemi
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | onsemi | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | SOT-23 | |
| Series | FDN | |
| Mount Type | Surface Mount | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.1Ω | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 0.5W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 10nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Width | 1.4mm | |
| Length | 2.9mm | |
| Height | 1.4mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque onsemi | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type SOT-23 | ||
Series FDN | ||
Mount Type Surface Mount | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.1Ω | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 0.5W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 10nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Width 1.4mm | ||
Length 2.9mm | ||
Height 1.4mm | ||
Automotive Standard No | ||
The onsemi N-Channel MOSFET primarily is designed to enhance the efficiency of dc-dc converters using switching PWM controllers.
Optimised for high-frequency applications, ensuring better performance
Features low R DS(on) values, enhancing efficiency within Compact designs
Incorporates fast switching capabilities for improved operational speeds
Available in a Pb-Free and Halogen Free package for environmental compliance
Liens connexes
- onsemi FDN P-Channel MOSFET 20 V, 3-Pin SOT-23 FDN340P
- onsemi NDS355 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
- onsemi NDS355 Type N-Channel MOSFET 30 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 NDS355AN
- onsemi PowerTrench Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN335N
- onsemi N channel-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002ET7G
- onsemi N-Channel MOSFET 60 V, 3-Pin SOT-23 2N7002ET
- DiodesZetex Type N-Channel MOSFET 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23
