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onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN335N

N° de stock RS:: 671-0422
Référence fabricant:: FDN335N
Fabricant:: onsemi

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 1.7 A, 20 V Enhancement, 3-Pin SOT-23 FDN335N

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N° de stock RS:: 671-0422
Référence fabricant:: FDN335N
Fabricant:: onsemi

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SOT-23
	Series	PowerTrench
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	70mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	500mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	3.5nC
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Width	1.4mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.92mm
	Height	0.94mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 1.7A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SOT-23
	Series PowerTrench
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 70mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 500mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 3.5nC
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Width 1.4mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.92mm
	Height 0.94mm
	Automotive Standard No

PowerTrench® N-Channel MOSFET, up to 9.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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