Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET, 860 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 PMGD290XN,115

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N° de stock RS:
725-8394
Référence fabricant:
PMGD290XN,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

860mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Trench MOSFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.72nC

Forward Voltage Vf

0.8V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

410mW

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Transistor Configuration

Isolated

Maximum Operating Temperature

150°C

Width

1.35 mm

Height

1mm

Standards/Approvals

No

Length

2.2mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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