Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET, 860 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88

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N° de stock RS:
166-0612
Référence fabricant:
PMGD290XN,115
Fabricant:
Nexperia
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Marque

Nexperia

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

860mA

Maximum Drain Source Voltage Vds

20V

Series

Trench MOSFET

Package Type

SC-88

Mount Type

Surface

Pin Count

6

Maximum Drain Source Resistance Rds

350mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

0.72nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

12 V

Maximum Power Dissipation Pd

410mW

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Operating Temperature

150°C

Transistor Configuration

Isolated

Standards/Approvals

No

Height

1mm

Length

2.2mm

Width

1.35 mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
MY

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia


MOSFET Transistors, NXP Semiconductors


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