Références fabricant

Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET, 860 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 PMGD290XN,115

N° de stock RS:: 166-0612
Référence fabricant:: PMGD290XN,115
Fabricant:: Nexperia

Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 N-Channel MOSFET, 860 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 PMGD290XN,115

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

258,00 €

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3000 +	0,086 €	258,00 €

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N° de stock RS:: 166-0612
Référence fabricant:: PMGD290XN,115
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	N
	Maximum Continuous Drain Current Id	860mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-88
	Series	Trench MOSFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	350mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	410mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.72nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	12V
	Forward Voltage Vf	0.8V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Standards/Approvals	No
	Length	2.2mm
	Height	1mm
	Width	1.35mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Product Type MOSFET
	Channel Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 860mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-88
	Series Trench MOSFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 350mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 410mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.72nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 12V
	Forward Voltage Vf 0.8V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Standards/Approvals No
	Length 2.2mm
	Height 1mm
	Width 1.35mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: MY

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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