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Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET, 870 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 PMGD280UN,115

N° de stock RS:: 725-8329
Référence fabricant:: PMGD280UN,115
Fabricant:: Nexperia

Nexperia Isolated Trench MOSFET 2 Type N-Channel MOSFET, 870 mA, 20 V Enhancement, 6-Pin SC-88 PMGD280UN,115

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N° de stock RS:: 725-8329
Référence fabricant:: PMGD280UN,115
Fabricant:: Nexperia

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Nexperia
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	870mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds	20V
	Package Type	SC-88
	Series	Trench MOSFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	6
	Maximum Drain Source Resistance Rds	340mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	400mW
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.83V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	0.89nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Transistor Configuration	Isolated
	Height	1mm
	Standards/Approvals	No
	Length	2.2mm
	Number of Elements per Chip	2
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Nexperia
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 870mA
	Maximum Drain Source Voltage Vds 20V
	Package Type SC-88
	Series Trench MOSFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 6
	Maximum Drain Source Resistance Rds 340mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 400mW
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.83V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 0.89nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Transistor Configuration Isolated
	Height 1mm
	Standards/Approvals No
	Length 2.2mm
	Number of Elements per Chip 2
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: MY

Dual N-Channel MOSFET, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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