Vishay IRFBC30A Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 708-4768
- Référence fabricant:
- IRFBC30APBF
- Fabricant:
- Vishay
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Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 2,34 € | 11,70 € |
| 50 - 120 | 1,99 € | 9,95 € |
| 125 - 245 | 1,876 € | 9,38 € |
| 250 - 495 | 1,754 € | 8,77 € |
| 500 + | 1,404 € | 7,02 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 708-4768
- Référence fabricant:
- IRFBC30APBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 3.6A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Series | IRFBC30A | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.2Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 23nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.6V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 74W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Series IRFBC30A | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC | ||
Forward Voltage Vf 1.6V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 74W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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