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Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

N° de stock RS:: 165-6093
Référence fabricant:: SIHFBC30AS-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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50 - 50	0,74 €	37,00 €
100 - 200	0,696 €	34,80 €
250 - 450	0,629 €	31,45 €
500 - 1200	0,592 €	29,60 €
1250 +	0,555 €	27,75 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 165-6093
Référence fabricant:: SIHFBC30AS-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-263
	Series	SiHFBC30AS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	2.2Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	23nC
	Forward Voltage Vf	1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd	74W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	10.67mm
	Standards/Approvals	No
	Height	4.83mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-263
	Series SiHFBC30AS
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 2.2Ω
	Channel Mode Enhancement
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 23nC
	Forward Voltage Vf 1.6V
	Maximum Power Dissipation Pd 74W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 10.67mm
	Standards/Approvals No
	Height 4.83mm
	Automotive Standard No

Pays d'origine :: CN

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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