Vishay SiHFBC30AS Type N-Channel MOSFET, 3.6 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
165-6093
Référence fabricant:
SIHFBC30AS-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

SiHFBC30AS

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.2Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

23nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

74W

Forward Voltage Vf

1.6V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.67mm

Height

4.83mm

Width

9.65 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN

N-Channel MOSFET, 600V to 1000V, Vishay Semiconductor


MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor


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