Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 97 A, 100 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB4410ZPBF

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688-6954
Référence fabricant:
IRFB4410ZPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

97A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Series

HEXFET

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

9mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

230W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

83nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

4.82 mm

Height

9.02mm

Length

10.66mm

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Motor Control and AC-DC Synchronous Rectifier MOSFET, Infineon


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