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Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3306PBF

N° de stock RS:: 688-6910
Numéro d'article Distrelec:: 304-35-443
Référence fabricant:: IRFB3306PBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRFB3306PBF

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N° de stock RS:: 688-6910
Numéro d'article Distrelec:: 304-35-443
Référence fabricant:: IRFB3306PBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	160A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Package Type	TO-220
	Series	HEXFET
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	230W
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	85nC
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	No
	Length	10.66mm
	Width	4.82 mm
	Height	9.02mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 160A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Package Type TO-220
	Series HEXFET
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 230W
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals No
	Length 10.66mm
	Width 4.82 mm
	Height 9.02mm
	Automotive Standard No

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