IXYS Linear Type N-Channel MOSFET, 12 A, 1 kV Enhancement, 3-Pin TO-247
- N° de stock RS:
- 686-7840
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-422
- Référence fabricant:
- IXTH12N100L
- Fabricant:
- IXYS
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
20,19 €
(TVA exclue)
24,43 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 1 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
- Plus 868 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 1 | 20,19 € |
| 2 - 4 | 16,65 € |
| 5 - 9 | 16,16 € |
| 10 - 19 | 15,70 € |
| 20 + | 14,93 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 686-7840
- Numéro d'article Distrelec:
- 302-53-422
- Référence fabricant:
- IXTH12N100L
- Fabricant:
- IXYS
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | IXYS | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 12A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 1kV | |
| Series | Linear | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.3Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 155nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 400W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 16.26mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Width | 5.3 mm | |
| Height | 21.46mm | |
| Distrelec Product Id | 30253422 | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque IXYS | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 12A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 1kV | ||
Series Linear | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.3Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 155nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 400W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 16.26mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Width 5.3 mm | ||
Height 21.46mm | ||
Distrelec Product Id 30253422 | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series
N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Liens connexes
- IXYS Linear N-Channel MOSFET 1000 V, 3-Pin TO-247 IXTH12N100L
- IXYS Linear N-Channel MOSFET 1000 V, 4-Pin SOT-227 IXTN22N100L
- IXYS Linear N-Channel MOSFET 1000 V, 3-Pin TO-264 IXTK22N100L
- IXYS HiperFET 15 A 3-Pin TO-247 IXFH15N100Q3
- IXYS HiperFET 18 A 3-Pin TO-247 IXFH18N100Q3
- IXYS HiperFET 15 A 3-Pin TO-247 IXFH15N100Q3
- IXYS X2-Class N-Channel MOSFET 650 V, 3-Pin TO-247 IXTH12N65X2
- IXYS HiperFET N-Channel MOSFET 250 V, 3-Pin TO-247 IXFH80N25X3