IXYS Linear Type N-Channel MOSFET, 22 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXTN22N100L

Sous-total (1 tube de 10 unités)*

536,98 €

(TVA exclue)

649,75 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • 250 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
10 +53,698 €536,98 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
168-4610
Référence fabricant:
IXTN22N100L
Fabricant:
IXYS
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

IXYS

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Series

Linear

Package Type

SOT-227

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

38.2mm

Height

9.6mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series


N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Liens connexes