IXYS Linear Type N-Channel MOSFET, 22 A, 1 kV Enhancement, 4-Pin SOT-227 IXTN22N100L

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168-4610
Référence fabricant:
IXTN22N100L
Fabricant:
IXYS
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Marque

IXYS

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

22A

Maximum Drain Source Voltage Vds

1kV

Package Type

SOT-227

Series

Linear

Mount Type

Panel

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

600mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

700W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Forward Voltage Vf

1.5V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

270nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Height

9.6mm

Length

38.2mm

Width

25.07 mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
US

N-Channel Power MOSFET, IXYS Linear Series


N-Channel Power MOSFETs designed specifically for linear operation. These devices feature extended Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) for increased ruggedness and reliability.

MOSFET Transistors, IXYS


A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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