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onsemi NDT Type N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT3055L

N° de stock RS:: 671-1090
Numéro d'article Distrelec:: 304-43-740
Référence fabricant:: NDT3055L
Fabricant:: onsemi

onsemi NDT Type N-Channel MOSFET, 4 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SOT-223 NDT3055L

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N° de stock RS:: 671-1090
Numéro d'article Distrelec:: 304-43-740
Référence fabricant:: NDT3055L
Fabricant:: onsemi

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	onsemi
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	NDT
	Package Type	SOT-223
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	100mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd	3W
	Minimum Operating Temperature	-65°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Width	3.56mm
	Height	1.6mm
	Length	6.5mm
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque onsemi
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series NDT
	Package Type SOT-223
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 100mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Maximum Power Dissipation Pd 3W
	Minimum Operating Temperature -65°C
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 13nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Width 3.56mm
	Height 1.6mm
	Length 6.5mm
	Automotive Standard No

Enhancement Mode N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

Enhancement Mode Field Effect Transistors (FET) are produced using Fairchild’s proprietary, high cell density, DMOS technology. This high density process has been designed to minimise on-state resistance, provide rugged and reliable performance and fast switching.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The Advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.

ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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