Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET, 5.2 A, 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB
- N° de stock RS:
- 543-0052
- Numéro d'article Distrelec:
- 171-15-009
- Référence fabricant:
- IRF620PBF
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
1,46 €
(TVA exclue)
1,77 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 5 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
- Plus 318 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
- Plus 318 unité(s) expédiée(s) à partir du 26 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 9 | 1,46 € |
| 10 - 49 | 1,33 € |
| 50 - 99 | 1,27 € |
| 100 - 249 | 1,10 € |
| 250 + | 1,03 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 543-0052
- Numéro d'article Distrelec:
- 171-15-009
- Référence fabricant:
- IRF620PBF
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | Power MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 5.2A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-220AB | |
| Series | IRF620 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.8Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 50W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Forward Voltage Vf | 1.8V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Height | 9.01mm | |
| Standards/Approvals | RoHS 2002/95/EC | |
| Width | 4.7 mm | |
| Length | 10.41mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type Power MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 5.2A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-220AB | ||
Series IRF620 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.8Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 50W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Forward Voltage Vf 1.8V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Height 9.01mm | ||
Standards/Approvals RoHS 2002/95/EC | ||
Width 4.7 mm | ||
Length 10.41mm | ||
Automotive Standard No | ||
N-Channel MOSFET, 200V to 250V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Liens connexes
- Vishay IRF620 Type N-Channel Power MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220AB IRF620PBF
- Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-220AB
- Vishay Single Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-220AB IRL620PBF
- Vishay SiHF620S Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263
- Vishay SiHF620S Type N-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-263 SIHF620S-GE3
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- onsemi QFET Type P-Channel MOSFET 200 V Enhancement, 3-Pin TO-220 FQPF7P20
- Vishay Single 1 Type N-Channel Power MOSFET 200 V TO-263
