Références fabricant

Vishay SQS Type P-Channel MOSFET, 44 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS181ELNW-T1_GE3

N° de stock RS:: 280-0031
Référence fabricant:: SQS181ELNW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQS Type P-Channel MOSFET, 44 A, 80 V Enhancement, 8-Pin 1212-8SLW SQS181ELNW-T1_GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 251,00 €

(TVA exclue)

1 515,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

Temporairement en rupture de stock

Expédition à partir du 08 mars 2027

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
3000 +	0,417 €	1 251,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 280-0031
Référence fabricant:: SQS181ELNW-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	1212-8SLW
	Series	SQS
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0593Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Forward Voltage Vf	-0.82V
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	119W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	45nC
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	3.3mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 44A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type 1212-8SLW
	Series SQS
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0593Ω
	Channel Mode Enhancement
	Forward Voltage Vf -0.82V
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 119W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 45nC
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 3.3mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQS181ELNW-T1_GE3

The Vishay Automotive MOSFET is a P-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Fully lead (Pb)-free device

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.