Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET, 58 A, 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS136ENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 735-210
- Référence fabricant:
- SQS136ENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | N channel | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 58A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | TrenchFET | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.013Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 40W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 16nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Width | 3.3mm | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type N channel | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 58A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series TrenchFET | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SLW | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.013Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 40W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Width 3.3mm | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
- Pays d'origine :
- CN
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