Vishay SQJ162EP Type N-Channel MOSFET, 166 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ162EP-T1_GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

1 713,00 €

(TVA exclue)

2 073,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 3 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 20 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +0,571 €1 713,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
280-0018
Référence fabricant:
SQJ162EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

166A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Series

SQJ162EP

Package Type

SO-8L

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.005Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Fully lead (Pb)-free device

Liens connexes