Vishay SQJ162EP Type N-Channel MOSFET, 166 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ162EP-T1_GE3

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280-0018
Référence fabricant:
SQJ162EP-T1_GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

166A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

SO-8L

Series

SQJ162EP

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.005Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

34nC

Forward Voltage Vf

1.1V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

AEC-Q101

Automotive Standard

AEC-Q101

The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Fully lead (Pb)-free device

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