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Vishay SQJ162EP Type N-Channel MOSFET, 166 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ162EP-T1_GE3

N° de stock RS:: 280-0018
Référence fabricant:: SQJ162EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SQJ162EP Type N-Channel MOSFET, 166 A, 60 V Enhancement, 4-Pin SO-8L SQJ162EP-T1_GE3

Sous-total (1 bobine de 3000 unités)*

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N° de stock RS:: 280-0018
Référence fabricant:: SQJ162EP-T1_GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	166A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	60V
	Series	SQJ162EP
	Package Type	SO-8L
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.005Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	34nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	1.1V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	AEC-Q101
	Automotive Standard	AEC-Q101

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 166A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 60V
	Series SQJ162EP
	Package Type SO-8L
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.005Ω
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 250W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 34nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 1.1V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals AEC-Q101
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - SQJ162EP-T1_GE3

The Vishay Automotive MOSFET is a N-Channel MOSFET and the transistor in it is made up of material known as silicon.

TrenchFET power MOSFET

100 percent Rg and UIS tested

AEC-Q101 qualified

Fully lead (Pb)-free device

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